今年5月份,SK海力士CEO便宣布其2024年和2025年高帶寬內存 (HBM) 的產能均已售罄。無獨有偶,美光科技也在第二財季財報中披露,該公司2024年的HBM產能已經售罄,2025年的絕大多數(shù)產能已經分配完畢。在信息化時代,HBM需求市場蓬勃發(fā)展,同時該賽道也已成為存儲廠商兵家必爭之地。
1、中國高帶寬存儲器需求占全球比重較小,發(fā)展?jié)摿Υ?/strong>
需求占比來看,2023年全球高帶寬存儲器行業(yè)市場規(guī)模翻倍增長,達到約44億美元。2023年中國高帶寬存儲器市場規(guī)模約3.1億美元,需求約占全球整體需求的7%。預計未來隨著“中國智造”的深入發(fā)展,這一比重將持續(xù)提升。
數(shù)據(jù)來源:公開資料、觀研天下整理
2、HBM2/2E(8層堆疊)我國高帶寬存儲器市場主要產品
市場結構來看,中國高帶寬存儲器行業(yè)市場結構呈現(xiàn)出以HBM2/2E(8層堆疊)產品為主導的格局,占據(jù)了大約60%的市場份額,而新一代的HBM3(12層堆疊)技術市場份額約占40%。
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3、中國高帶寬存儲器頭部市場也主要被全球龍頭企占據(jù)
競爭梯隊來看,我國高帶寬存儲器行業(yè)企業(yè)競爭梯隊可分為三大梯隊,第一梯隊為海外龍頭企業(yè),主要包括SK海力士、三星和美光科技三大龍頭;第二梯隊為國內HBM制造企業(yè),包括紫光國微、武漢新芯和長鑫存儲,但這三家企業(yè)目前尚無實際產能;第三梯隊為國內HBM封測企業(yè),主要包括通富微電、長電科技、國芯科技等具有HBM封測能力的企業(yè)。
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4、中國高帶寬存儲器行業(yè)企業(yè)業(yè)務布局情況
企業(yè)業(yè)務布局來看,隨著國產化進程的推進,國內對自主可控的高帶寬內存需求也在擴大。國內企業(yè)和科研機構對HBM的需求不斷增長,以支持更復雜的計算任務和更大的數(shù)據(jù)流量。
中國高帶寬存儲器行業(yè)企業(yè)業(yè)務布局
企業(yè)名稱 | 高帶寬存儲器業(yè)務布局 |
長鑫存儲 | 母公司睿力集成透過一家上海子公司與當?shù)卣炇鹨环莺霞s以獲得土地。最新消息顯示睿力集成計劃投資至少171億人民幣在這塊土地上建造一座先進封裝廠,新工廠位于浦東,預估將于2026年中投產。該新廠將專注于各種先進封裝技術,如用硅穿孔 (TSV)互聯(lián)實現(xiàn)內存堆棧,制造應用在人工智能的高帶寬存儲器。 |
武漢新芯 | 公司《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發(fā)和產線建設》招標項目,將利用三維集成多晶圓堆疊技術,打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品。 |
紫光國微 | 公司圖像A智能芯片已完成研發(fā)并在推廣中實現(xiàn)用戶選用,HBM芯片處于樣品系統(tǒng)集成驗證階段 |
太極實業(yè) | 旗下的海太半導體(持有55%股權)與SK海力士合資,專為SK海力士提供 DRAM封裝測試業(yè)務 |
通富微電 | 公司2.5D/3D生產線建成后,將實現(xiàn)國內在HBM高性能封裝技術領域的突破 |
國芯科技 | 正和上下游合作廠家積極開展包括HBM技術在內的高端芯片封裝合作,目前正在研究規(guī)劃合封多HBM內存的2.5D的芯片封裝技術,積極推進chiplet技術的研發(fā)和應用 |
長電科技 | 公司推出的XDFOI高性能封裝技術平臺可以支持HBM的封裝要求 |
華天科技 | 公司已經完成了基于TVS工藝的3D DRAM封裝技術開發(fā) |
晶方科技 | 掌握TSV(硅穿孔)等先進封裝技術 |
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